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背散射電子成像簡介
掃描電鏡成像主要是利用樣品表面的微區(qū)特征,如形貌、原子序數(shù)、晶體結(jié)構(gòu)或位向等差異,在電子束作用下產(chǎn)生不同強(qiáng)度的物理信號,使熒光屏上不同的區(qū)域呈現(xiàn)出不同的亮度,從而獲得具有一定襯度的圖像。
當(dāng)電子束和試樣表層發(fā)生作用時,會產(chǎn)生大量的背散射電子,這些背散射電子襯度包含三種信息:
1. 樣品表層形貌信息,凸起、尖銳和傾斜面的背散射電子多,探頭接收到的信號強(qiáng),圖像較亮,即形貌襯度(topography contrast);
2. 原子序數(shù)信息,原子序數(shù)越大,背散射電子越多,探頭接收到的信號越強(qiáng),反映在圖像上就越亮,即原子序數(shù)襯度成像(Z-contrast);
3. 晶體取向信息,背散射電子的強(qiáng)度取決于入射電子束與晶面的相對取向。晶體取向和入射電子束方向的改變均可導(dǎo)致BSE強(qiáng)度的改變(Electron channeling contrast,簡稱ECC,由此得到的襯度像簡稱ECCI)。
這篇文章主要講ECCI 的原理及應(yīng)用。
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